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CMOS工艺制造过程

⒈。CMOS工艺

CMOS工艺采用轻掺杂的N型衬底制备PMOS器件。为了做出N型器件，必须先在N型衬底上做出P肼，在p肼内制造NMOS器件。

典型的P肼硅栅CMOS工艺从衬底清洗到中间测试，车载摄像头模组，总共50多道工序，需要5次离子注入，连同刻钝化窗口，共10次光刻。下面结合主要工艺流程来介绍P肼硅栅CMOS集成电路中元件的形成过程。

⑴光1——光刻肼区，刻出肼区注入孔。

⑵肼区注入及推进，形成肼区。

⑶去除SiO2，长薄氧，长Si3N4

⑷光2——反刻有源区（光刻场区），反刻出P管、N管的源、漏和栅区。

⑸光3——光刻N管场区，刻去N管区上的胶，露出N管场区注入孔。N管场区注入，以提高场开启，减 少闩锁效应及改善肼的接触。

⑹长场氧化层，出去Si3N4，再飘去薄的SiO2，然后长栅氧化层。

⑺光4——光刻P管区。p管区注入，调节PMOS管的开启电压，然后长多晶硅。

⑻光5——反刻多晶硅，形成多晶硅栅及多晶硅电阻。

⑼光6——光刻P 区，刻去P管及其他P 区上的胶。P 区注入，形成PMOS管的源、漏区及P 保护环。

⑽光7——光刻N 区，刻去N 区上的胶。N 区注入，形成NMOS管的源、漏区及N 保护环。

⑾长PSG

⑿光8——光刻引线孔。可在生长磷硅玻璃后先开一次孔，usb摄像头模组，然后再磷硅玻璃回流及结注入推进后再开第二次孔。

⒀光9——反刻铝引线。

⒁ 光10——光刻压焊块。

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人脸识别参考文献

1 黄文梅，熊佳林，杨勇编著.信号分析与处理——MATALB语言及应用.国防科技大学出版社，2000

2 钱同惠编著.数字信号处理.北京：机械工业出版社，监控摄像头模组，2004

3 姚天任，江太辉编著.数字信号处理.第2版.武汉：武汉理工大学出版社，2000

4 谢平，林洪彬，王娜.信号处理原理及应用.机械工业出版社，2004

5 刘敏，魏玲.Matlab.通信与应用.国防工业出版社，2005

6 楼顺天.是基于Matlab7.x 的系统分析与设计.西安电子科技大学，2002

7孙洪.数字信号处理.电子工业出版社，2001

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CMOS逻辑电路具有以下优点：

1、允许的电源电压范围宽，方便电源电路的设计

2、逻辑摆幅大，使电路抗干扰能力强

3、静态功耗低

4、隔离栅结构使CMOS器件的输入电阻极大，从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多

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